据交大新闻网报说念，该校材料学院材料立异野心中心周健教悔对于太赫兹光照对材料热力学性质影响的表面，有多项阐述发表在刊物上。
现在，低维量子材料偏握原子/电子结构在外场作用下的相变，受到了物理学家、化学家、材料学家们的无为热心，其中又以低频光场对半导体材料结构和性质的影响为典型。
周健教悔与国内生手家联结，建议了太赫兹光照对材料热力学性质影响的表面，给出了太赫兹光照下材料结构相变的公式。联系责任以“Terahertz Driven Phase Transition in Two-Dimensional Multiferroics”为题发表在近期出书的 npj 2D Materials and Applications 上。
与此同期，他们还指出太赫兹光照不错达成快速、无损地达成过渡金属二硫化物(TMDC)单层结构在H和T’之间的相变，并预言了光频率、强度、偏振所在对两种相剖判性的影响，建议了拓扑相变决议(图2)，以及通过表面分析和分子能源学商酌，指出这种决议具有产热小、反映快、易调控等优点。商酌发表于近期出书的 Advanced Science上。
在此之前，周健教讲课题组与国内生手家对于低频光指挥材料相变方面的联结商酌，也曾数次发表在限制泰斗期刊上。
编译/前瞻经济学东说念主APP资讯组
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